華微電(dian)子:事業部改革持(chi)續深入，高端產品有望取得突(tu)破(po) 

                                                                                                                       中投證券 調(diao)研報告

事件：公(gong)司發布公(gong)告,16年QI—Q3營(ying)業(ye)收入9.61億元(yuan),同比增長(chang)3.65%,凈利(li)潤(run)3796萬元,同比增長35.58%。

中投(tou)電子(zi)觀點:

事業(ye)部(bu)改革加速推動高端產品放量(liang),進一步加大(da)對IGBT等高端產品(pin)研發(fa)投入，發展(zhan)后勁(jing)十(shi)足。今年(nian)以(yi)來(lai)公司持(chi)續推進事業部(bu)改革，IGBT產品團隊(dui)重(zhong)點推(tui)進(jin)第(di)六代IGBT以及MOS產品的系列(lie)化工作：高端二極管(guan)團隊重點(dian)推(tui)進TRENCH SBD、 FRD產品的系(xi)列化工作:雙極產(chan)品團隊重點推進中高端應用SCR、放電管產品的系列化工作。通(tong)過進一步推進模塊技術向(xiang)高端應用(yong)領(ling)域拓(tuo)展,公(gong)司實現(xian)了技術(shu)推(tui)廣由(you)芯片向模塊延伸，由(you)單一(yi)產(chan)品向解決(jue)方(fang)案(an)延伸,最大(da)化(hua)發(fa)揮(hui)在技術(shu)領域的綜合優勢(shi),快速實現對(dui)重點目(mu)標應(ying)用(yong)領(ling)域的拓展工(gong)作。 隨著公司新的產品逐漸(jian)量產,公司的(de)發展后勁得到(dao)了(le)有力保(bao)障,全年業績仍有保(bao)障。

持續加(jia)強工藝平臺建設,工藝技術轉化能(neng)力進一步增強(qiang)。對工藝技術的(de)掌控能(neng)力是功率半導體企業持續發展的(de)核心競(jing)爭力，公司在原(yuan)有技術積累的基礎上(shang)不斷(duan)進(jin)行工藝優化，目前(qian)已實現4英寸線對BJT、放電管、可控(kong)硅產品工藝技術平臺(tai)的整合與優化,五英(ying)寸(cun)線對平面、TRENCH高(gao)端二極管、CMOS工(gong)藝技(ji)術平(ping)臺的(de)整合與優化，六英寸線對MOSFET.IGBT工藝技(ji)術平臺的(de)整合與優化:公司全面的(de)工藝(yi)技術“掌控(kong)能力”已充分體現。

積(ji)極推進第三(san)代新材(cai)料器件的(de)研發(fa).制造,以實現(xian)在功(gong)率半導體領(ling)域對國(guo)際領(ling)先企業(ye)的(de)彎(wan)道超車(che),力(li)爭在“十(shi)三五”末期在國內功(gong)率半導體器件(jian)行業中率先進入國際領(ling)先企業行列,樹(shu)立具有國(guo)際影(ying)響(xiang)力(li)的民族品牌。

投資要點:公司是專(zhuan)注于設計+材料創(chuang)新,以及特種工藝的“芯片級”功率(lv)半導體(ti)龍頭(tou)企業,亦是技(ji)術積累超50年的稀缺(que)“自主可控”標的(de)。公司(si)憑借長(chang)期(qi)技(ji)術(shu)和市(shi)場積累將實現行(xing)業突(tu)破,適逢本土龍頭企業投融資熱潮(chao),以及英飛凌等國際同業龍頭高速發展的“周期(qi)”;實際控(kong)制人更替和股(gu)權激(ji)勵計劃表征內(nei)部治理告一段落,預計迎來可(ke)持(chi)續的高速發(fa)展周期。

高成長行業爆發(fa)和自主可控,綜合(he)催生(sheng)IGBT/智能模(mo)塊IPM等高(gao)端功率半導(dao)體飛速(su)成長。汽(qi)車及其充電設備對IGBT類芯片(pian)和模塊產品需求(qiu)旺盛,功率(lv)模塊(kuai)成本占比高達約10%,僅本(ben)土(tu)需求即達600億元規模歷史(shi)上,公(gong)司曾(ceng)為(wei)國家軍工行(xing)業相關建設提供堅(jian)強保障(zhang)和支撐,現今,在高端武器裝備電磁化發展趨勢明顯下,國產替代(dai)實現自主可(ke)控已(yi)迫在眉睫(jie);公司能力已達國際水平(ping),并具(ju)備稀缺的“實際量產(chan)落地”能力(li),預計(ji)將依(yi)托(tuo)旺盛需求,實現高附(fu)加值產品(pin)放量,盈利水平(ping)將獲(huo)得快速提(ti)升。第三(san)代功率(lv)器(qi)件迎巨大潛在市場,公(gong)司具備迎接(jie)的(de)充足主客觀條件(jian)。

第三代功(gong)率(lv)半導體(ti)與現有高端產品(pin),在材料(liao)/結構/工藝/封裝等核心(xin)環(huan)節,具備明顯的傳承性,公(gong)司IDM模(mo)式(shi)下完全能(neng)夠滿足新(xin)材料器件的發展需(xu)要,技術向上(shang)延伸(shen)水到渠成,高(gao)端產(chan)能擴容和(he)技術升級發展預期(qi)十分強烈。

給予”強烈推薦“評級(ji)目標價14元。16-18年凈(jing)利潤預計0.95/2.05/3.50 億元,EPS 0.13/0.28/0.47元,同比增速121%/115%/71%。行業資源整合趨 勢給予公司較強內生外延發展(zhan)預期;軍工(gong)/新能(neng)源亟待突(tu)破,高附加值(zhi)產品(pin)持續 優化獲(huo)利(li)能力;功率半導體戰(zhan)略新(xin)興格(ge)局下(xia),“大行業(ye)小公司”現狀給予足夠空 間(jian);鑒于未(wei)來(lai)業績高成PEG考量(liang),已經呈現銷售收入和毛(mao)利(li)率提升的趨勢,以(yi)及(ji)潛(qian)在突(tu)破(po)行業估值中樞較高和標的的稀缺性,給予17年(nian)50倍PE,目標(biao) 價(jia)14元,具長期投(tou)資價值。

風險提示:本土半導體國產化替代,以及新應(ying)用領域拓展不達預期的風險。