高端功率半導體不斷取得突破，有望進入汽車領域

                                                                                    中投證(zheng)券(quan) 孫遠(yuan)峰,耿琛,張雷,張磊(lei)

       中投電(dian)子(zi)觀點：

高(gao)端(duan)產品逐步(bu)放(fang)量(liang)(liang)，產品結構顯著升級(ji)，有望進軍汽(qi)車(che)領域。16 年(nian)H1 毛利(li)率23.78%，同比(bi)增1.3pct，公司(si)秉承將功率半導(dao)體做強做精的“工(gong)匠”精神，推動公司(si)產品線向第六代IGBT 等高(gao)端(duan)領域不(bu)斷拓展，目(mu)前已(yi)逐步(bu)具備向客戶提供一站式整體解(jie)決方案的能力。公司(si)上半年(nian)順利(li)通(tong)過了 TS16949 體系(xi)認(ren)(ren)證（全稱是(shi)“ 質(zhi)量(liang)(liang)管理體系(xi)－汽(qi)車(che)行業生(sheng)產件與相關服(fu)務件的組(zu)織實施ISO9001： 2008 的特殊要(yao)求” ） ，該體系(xi)認(ren)(ren)證的通(tong)過，為(wei)公司(si)進軍汽(qi)車(che)領域奠定(ding)了基礎，使公司(si)專(zhuan)國(guo)際知名企業站在(zai)同一競(jing)爭平(ping)臺，公司(si)未來有望深度(du)受(shou)益新能源汽(qi)車(che)爆(bao)發的產業趨勢。

事業(ye)部改革(ge)加速(su)推進，進一步加大(da)對IGBT 等高(gao)(gao)(gao)端(duan)產品(pin)研發投入，發展(zhan)后(hou)勁十足。公(gong)司(si)(si)上半年持續(xu)推進事業(ye)部改革(ge)，IGBT 產品(pin)團隊(dui)(dui)重點推進第六代IGBT 以及(ji) MOS 產品(pin)的(de)系列化(hua)(hua)(hua)工作；高(gao)(gao)(gao)端(duan)二(er)極管團隊(dui)(dui)重點推進 TRENCHSBD、 FRD 產品(pin)的(de)系列化(hua)(hua)(hua)工作；雙(shuang)極產品(pin)團隊(dui)(dui)重點推進中高(gao)(gao)(gao)端(duan)應用 SCR、放電管產品(pin)的(de)系列化(hua)(hua)(hua)工作。通(tong)過進一步推進模(mo)塊(kuai)技(ji)術向(xiang)(xiang)高(gao)(gao)(gao)端(duan)應用領域拓展(zhan)，公(gong)司(si)(si)實(shi)現了技(ji)術推廣由芯片(pian)向(xiang)(xiang)模(mo)塊(kuai)延(yan)伸，由單(dan)一產品(pin)向(xiang)(xiang)解(jie)決(jue)方案延(yan)伸，最(zui)大(da)化(hua)(hua)(hua)發揮在技(ji)術領域的(de)綜合(he)優勢，快速(su)實(shi)現對重點目標應用領域的(de)拓展(zhan)工作。隨著公(gong)司(si)(si)新的(de)產品(pin)逐漸(jian)量產，公(gong)司(si)(si)的(de)發展(zhan)后(hou)勁得到(dao)了有力(li)保(bao)障，全年業(ye)績(ji)仍有保(bao)障。

持續加強(qiang)(qiang)工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)(yi)(yi)平(ping)臺建(jian)設，工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)(yi)(yi)技(ji)術(shu)(shu)(shu)轉化能(neng)(neng)力進一(yi)步增強(qiang)(qiang)。對工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)(yi)(yi)技(ji)術(shu)(shu)(shu)的(de)(de)掌控(kong)能(neng)(neng)力是功率半導體企業持續發展的(de)(de)核心競爭力，公司在原有技(ji)術(shu)(shu)(shu)積(ji)累的(de)(de)基礎(chu)上(shang)不斷進行工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)(yi)(yi)優化，目前(qian)已(yi)實(shi)現(xian) 4 英(ying)(ying)寸(cun)線對 BJT、放電管(guan)、可(ke)控(kong)硅(gui)產(chan)品工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)(yi)(yi)技(ji)術(shu)(shu)(shu)平(ping)臺的(de)(de)整(zheng)合(he)與優化，五(wu)英(ying)(ying)寸(cun)線對平(ping)面、TRENCH 高(gao)端二極(ji)管(guan)、CMOS 工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)(yi)(yi)技(ji)術(shu)(shu)(shu)平(ping)臺的(de)(de)整(zheng)合(he)與優化，六英(ying)(ying)寸(cun)線對 MOSFET、IGBT 工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)(yi)(yi)技(ji)術(shu)(shu)(shu)平(ping)臺的(de)(de)整(zheng)合(he)專優化；公司全面的(de)(de)工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)(yi)(yi)技(ji)術(shu)(shu)(shu)“掌控(kong)能(neng)(neng)力”已(yi)充分體現(xian)。

積極推進第三(san)代新材料器件(jian)的研發、制造，以實現在功率半導體領(ling)(ling)域對國(guo)際領(ling)(ling)先企業的彎道超車(che)，力(li)爭在“十三(san)五”末期在國(guo)內功率半導體器件(jian)行業中率先進入國(guo)際領(ling)(ling)先企業行列(lie)，樹立具(ju)有(you)國(guo)際影響力(li)的民(min)族品(pin)牌。

投資(zi)要點：

公司是且注于設計(ji)+材料創新，以及特(te)種(zhong)工(gong)藝的“芯片級”功率半導體龍(long)頭企(qi)業，亦(yi)是技(ji)術積累超50 年(nian)的A 股稀(xi)缺(que)“自(zi)主可控”標(biao)的。公司憑借(jie)長期技(ji)術和市場積累將(jiang)實現行業突破，適(shi)逢本土龍(long)頭企(qi)業投融資熱潮，以及英(ying)飛(fei)凌等國際同業龍(long)頭高(gao)速發展的“黃金周期”；實際控制人更(geng)替和股權激勵計(ji)劃表(biao)征內部治理告一段落，預計(ji)迎來可持續的高(gao)速發展周期。

高(gao)成長行業(ye)爆發(fa)和(he)自主(zhu)可控，綜合催生(sheng)IGBT/智(zhi)能模(mo)塊IPM 等(deng)高(gao)端功率(lv)半導(dao)體飛速成長。新能源(yuan)汽車及其充電設備(bei)對IGBT 類芯片和(he)模(mo)塊產(chan)(chan)品(pin)需求旺盛，功率(lv)模(mo)塊成本占比高(gao)達(da)約(yue)10%，僅本土(tu)需求即達(da)600 億元視模(mo)；歷史(shi)上，公(gong)司(si)曾為國家軍工行業(ye)相關(guan)建設提(ti)(ti)供堅強保障(zhang)和(he)支撐(cheng)，現今，在(zai)(zai)高(gao)端武器裝備(bei)電磁化發(fa)展(zhan)趨勢(shi)明顯下，國產(chan)(chan)替代(dai)實(shi)現自主(zhu)可控已迫在(zai)(zai)眉(mei)睫；公(gong)司(si)能力已達(da)國際水平(ping)，并具備(bei)稀缺(que)的“實(shi)際量(liang)產(chan)(chan)落(luo)地”能力，預(yu)計將依托旺盛需求，實(shi)現高(gao)附加值產(chan)(chan)品(pin)放量(liang)，盈(ying)利水平(ping)將獲(huo)得(de)快速提(ti)(ti)升。

第三代功(gong)率(lv)器件迎巨大(da)潛在(zai)市(shi)場，公(gong)司具備迎接新機遇的(de)(de)充足主(zhu)客觀(guan)條件。第三代功(gong)率(lv)半導(dao)體與現有高端產品(pin)，在(zai)材料/結構/工(gong)藝(yi)/封裝(zhuang)等核心環節(jie)，具備明顯的(de)(de)傳承性，公(gong)司IDM 模式下完全(quan)能夠(gou)滿足新材料器件的(de)(de)發展需要，技(ji)術(shu)(shu)向(xiang)上(shang)延伸水到渠成，高端產能擴容和(he)技(ji)術(shu)(shu)升級發展預期十(shi)分強烈。

高(gao)端(duan)功率半導體不斷取得(de)突破(po)，有望進入(ru)汽車領(ling)域(yu).pdf給(gei)(gei)予(yu)”強烈推薦“評(ping)級，目標價(jia)14 元(yuan)。16-18 年凈(jing)利潤預計0.95/2.05/3.50億元(yuan)，EPS 0.13/0.28/0.47 元(yuan)，同比增速121%/115%/71%。行(xing)業(ye)資(zi)(zi)源整合趨勢(shi)給(gei)(gei)予(yu)公司較(jiao)強內生外(wai)延發展(zhan)預期；軍工(gong)/新能源亟待突破(po)，高(gao)附加值(zhi)產品持(chi)續優化(hua)獲(huo)利能力；功率半導體戓略新興格局下，“大(da)行(xing)業(ye)小公司”現狀給(gei)(gei)予(yu)足夠(gou)空間；鑒于未(wei)來業(ye)績高(gao)成(cheng)長和PEG 考量(liang)，已(yi)經(jing)呈現銷售收入(ru)和毛利率提(ti)升(sheng)的(de)(de)趨勢(shi)，以及潛在突破(po)行(xing)業(ye)估(gu)值(zhi)中樞較(jiao)高(gao)和標的(de)(de)的(de)(de)稀缺性(xing)，給(gei)(gei)予(yu)17 年50 倍(bei)PE，目標價(jia)14 元(yuan)，具長期投(tou)資(zi)(zi)價(jia)值(zhi)。

風(feng)險提示：本土半(ban)導體國產化替(ti)代(dai)，以及(ji)新應用(yong)領域拓展不達預期的(de)風(feng)險。

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