高成長(chang)(chang)行(xing)業爆發(fa)和自(zi)主(zhu)可控，綜合催生IGBT/智(zhi)能模(mo)塊(kuai)IPM等高端功率半(ban)導體飛速成長(chang)(chang)。新(xin)能源汽(qi)車及其充電設備對(dui)IGBT類芯(xin)片和模(mo)塊(kuai)產品需(xu) 求(qiu)(qiu)旺(wang)盛(sheng)，功率模(mo)塊(kuai)成本占比(bi)高達(da)(da)約10%，僅本土需(xu)求(qiu)(qiu)即(ji)達(da)(da)600億元規(gui)模(mo)； 歷(li)史上，公(gong)司(si)曾(ceng)為國家軍工行(xing)業相(xiang)關(guan)建設提(ti)供堅強保障和支(zhi)撐，現今，在 高端武器裝備電磁化發(fa)展趨勢明(ming)顯(xian)下,國產替(ti)代(dai)實(shi)現自(zi)主(zhu)可控已迫在眉睫； 公(gong)司(si)能力已達(da)(da)國際水(shui)平，并具備稀缺的"實(shi)際量產落地"能力，預計將依 托旺(wang)盛(sheng)需(xu)求(qiu)(qiu)，實(shi)現高附(fu)加(jia)值產品放量，盈利水(shui)平將獲得快速提(ti)升。

第(di)三(san)(san)代功(gong)率(lv)器件迎巨大潛在市場，公司具備(bei)迎接新機(ji)遇的充足主(zhu)客觀條(tiao)件。 第(di)三(san)(san)代功(gong)率(lv)半導體與現有高端產品，在材(cai)料(liao)/結構/工藝/封裝等核心環節，具備(bei)明顯的傳(chuan)承性，公司IDM模式下完全能(neng)夠滿足新材(cai)料(liao)器件的發(fa)展(zhan)需 要，技術(shu)向上延伸水到渠成(cheng)，高端產能(neng)擴容和技術(shu)升級發(fa)展(zhan)預(yu)期十分強(qiang)烈。

高門檻行業(ye)(ye)龍頭有望(wang)依托其產(chan)(chan)業(ye)(ye)資源，提供更關鍵的"產(chan)(chan)業(ye)(ye)服勞〃。擺脫以往國外引進和自主培養的傳統(tong)模式，實(shi)現人才繁(fan)榮，是半導體發(fa)展核心動 因；公司在功(gong)率半導體領域50多年的資源優勢可謂鳳毛麟角(jiao)，有望(wang)帶動 相(xiang)關產(chan)(chan)業(ye)(ye)服務，形成集群創新發(fa)展。

首(shou)次(ci)覆蓋給予(yu)(yu)〃強烈(lie)推(tui)薦"評級(ji)。15-17年(nian)凈利潤預(yu)(yu)計(ji)0.41/0.95/2.05億 元，EPS 0.06/0.13/0.28元，同比増速14%/134%/115%。行業(ye)資源(yuan)整(zheng) 合趨勢給予(yu)(yu)公司(si)較強內生外(wai)延發展(zhan)預(yu)(yu)期(qi)(qi)；軍工(gong)/新(xin)能(neng)源(yuan)亟待(dai)突破(po)，高附(fu)加值(zhi) 產(chan)品持續優化獲利能(neng)力；功率半(ban)導(dao)體(ti)(ti)戰略新(xin)興格局下，"大行業(ye)小公司(si)"現(xian) 狀給予(yu)(yu)足(zu)夠空間；鑒于(yu)未來(lai)業(ye)績高成(cheng)長(chang)和PEG考量，以(yi)及潛在突破(po)行業(ye)估 值(zhi)中樞較高，給予(yu)(yu)17年(nian)35倍PE ,第一目標價9.8元，具長(chang)期(qi)(qi)投資價值(zhi)。 今(jin)風險提示：本土(tu)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)國產(chan)化替代，以(yi)及新(xin)應用領(ling)域(yu)拓展(zhan)不(bu)達預(yu)(yu)期(qi)(qi)的風險。